单 FET,MOSFET

结果 : 12
制造商
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V25 V30 V60 V100 V400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)220mA(Ta)460mA(Ta)500mA(Ta)680mA(Ta)1.2A(Ta)1.24A(Ta)2A(Tc)2.8A(Ta)3A(Ta)5.6A(Tc)6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26 毫欧 @ 6A,4.5V72 毫欧 @ 3A,10V73 毫欧 @ 2.8A,4.5V175 毫欧 @ 300mA,4.5V250 毫欧 @ 930mA,4.5V450 毫欧 @ 500mA,4.5V540 毫欧 @ 3.4A,10V1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V3.6 欧姆 @ 1.2A,10V4 欧姆 @ 400mA,4.5V5 欧姆 @ 200mA,10V5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)950mV @ 250µA1V @ 250µA1.06V @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 4.5 V1.6 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 10 V6 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V17 nC @ 10 V25 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9.5 pF @ 10 V40 pF @ 10 V50 pF @ 10 V60 pF @ 25 V63 pF @ 10 V64.3 pF @ 25 V110 pF @ 15 V160 pF @ 15 V170 pF @ 25 V180 pF @ 25 V291 pF @ 10 V1699 pF @ 6 V
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)430mW(Ta)460mW(Ta)490mW(Ta)540mW(Ta)830mW(Ta)1.6W(Ta)36W(Tc)43W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23-3SuperSOT™-6TO-220ABTO-236ABTO-92TO-92-3
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果

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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
297,226
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45080
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
220mA(Ta)
2.7V,4.5V
4 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
207,048
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59365
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
680mA(Ta)
2.7V,4.5V
450 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
61,658
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87569
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
2.7V,4.5V
250 毫欧 @ 930mA,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDV304P
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
onsemi
68,573
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85790
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
460mA(Ta)
2.7V,4.5V
1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±8V
63 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SG6858TZ
FDC606P
MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
onsemi
6,462
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.97449
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Ta)
1.8V,4.5V
26 毫欧 @ 6A,4.5V
1.5V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1699 pF @ 6 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
BC327-16
2N7000
MOSFET TO-92 60V 0.2A
Diotec Semiconductor
130,921
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.43797
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
TO-236AB
PMV65UNER
MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
6,102
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66535
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.8A(Ta)
1.8V,4.5V
73 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±8V
291 pF @ 10 V
-
490mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV90ENER
MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
29,083
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72008
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Ta)
4.5V,10V
72 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
160 pF @ 15 V
-
460mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
37,594
现货
60,000
工厂
1 : ¥3.37000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
500mA(Ta)
10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
SOT-23-3
DMN2300U-7
MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Diodes Incorporated
9,367
现货
1,287,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99221
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.24A(Ta)
1.8V,4.5V
175 毫欧 @ 300mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
64.3 pF @ 25 V
-
430mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB
IRF710PBF
MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Vishay Siliconix
6,581
现货
1 : ¥6.16000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
2A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
46,112
现货
1 : ¥6.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.6A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 3.4A,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 12

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。