单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
PowerTrench®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A（Ta），32A（Tc）6.3A（Tc）37.1A（Tc）50.2A（Ta），177A（Tc）-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.35 毫欧 @ 10A，10V36 毫欧 @ 32A，10V43 毫欧 @ 9.2A，10V58 毫欧 @ 5.5A，10V185 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V20 nC @ 10 V28 nC @ 10 V53 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+12V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 50 V750 pF @ 50 V1250 pF @ 25 V3415 pF @ 10 V4600 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），13W（Tc）3.8W（Ta），52W（Tc）5W（Ta），62.5W（Tc）8.3W（Ta），136W（Tc）95W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-75-6PowerPAK® SO-8TO-252AA
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-75-6PowerPAK® SO-8TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SUD50P10-43L-E3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Vishay Siliconix
5,426
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.45228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37.1A（Tc）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 9.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD3682
MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
onsemi
3,035
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.76338
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.5A（Ta），32A（Tc）
6V，10V
36 毫欧 @ 32A，10V
4V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 25 V
-
95W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SIR800ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Vishay Siliconix
8,954
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.51412
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
50.2A（Ta），177A（Tc）
2.5V，10V
1.35 毫欧 @ 10A，10V
1.5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
+12V，-8V
3415 pF @ 10 V
-
5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8
SI7322DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
18,987
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.60264
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
-
10V
58 毫欧 @ 5.5A，10V
4.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
750 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
Pkg 5935
SIB456DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.3A（Tc）
4.5V，10V
185 毫欧 @ 1.9A，10V
3V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
130 pF @ 50 V
-
2.4W（Ta），13W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-75-6
PowerPAK® SC-75-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。