单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®QFET®TrenchFET®TrenchMOS™UniFET-II™UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V200 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA（Ta）600mA（Ta）1.1A（Ta）1.7A（Tc）6.6A（Tc）12A（Tc）15.2A（Ta），28A（Tc）16A（Tc）18A（Tc）19A（Tc）24A（Tc）38A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.8 毫欧 @ 15.2A，10V15 毫欧 @ 17A，10V16.5 毫欧 @ 12A，10V40 毫欧 @ 8.2A，10V74 毫欧 @ 19A，10V80 毫欧 @ 3.3A，10V125 毫欧 @ 8A，10V230 毫欧 @ 3A，10V350 毫欧 @ 850mA，10V385 毫欧 @ 1.1A，10V530 毫欧 @ 3.3A，10V650 毫欧 @ 6A，10V1 欧姆 @ 600mA，10V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V6 nC @ 5 V6.8 nC @ 10 V15 nC @ 10 V25.2 nC @ 10 V34 nC @ 10 V40 nC @ 10 V130 nC @ 10 V144 nC @ 10 V165 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V141 pF @ 50 V190 pF @ 50 V240 pF @ 25 V290 pF @ 25 V470 pF @ 25 V1000 pF @ 25 V1172 pF @ 50 V1180 pF @ 15 V1575 pF @ 25 V1676 pF @ 25 V4950 pF @ 25 V5540 pF @ 15 V5915 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）470mW（Ta）580mW（Ta）625mW（Ta）2W（Tc）2.5W（Ta），113W（Tc）2.5W（Ta），44W（Tc）2.5W（Ta），73W（Tc）4.1W（Ta），24W（Tc）37W（Tc）39W（Tc）71W（Tc）89W（Tc）136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-PQFN（5x6）DPAK-3SOT-223-4SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-220F-3TO-236ABTO-252-3TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-220-3 整包TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
192,216
现货
58,302,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
249,125
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.16087
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
16.5 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
80,401
现货
498,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.57004
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
600mA（Ta）
6V，10V
1 欧姆 @ 600mA，10V
4V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
FQT7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
onsemi
12,048
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.21903
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.7A（Tc）
5V，10V
350 毫欧 @ 850mA，10V
2V @ 250µA
6 nC @ 5 V
±20V
290 pF @ 25 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
TO-252AA
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
onsemi
16,423
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.61694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
16A（Tc）
5V，10V
125 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1575 pF @ 25 V
-
89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
5,570
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48430
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 17A，10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），113W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-236AB
PMV280ENEAR
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
15,493
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81802
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.1A（Ta）
4.5V，10V
385 毫欧 @ 1.1A，10V
2.7V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 50 V
-
580mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NVR5124PLT1G
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
onsemi
6,061
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24997
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.1A（Ta）
4.5V，10V
230 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252AA
FQD8P10TM
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
onsemi
3,526
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.46718
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Tc）
10V
530 毫欧 @ 3.3A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
470 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），44W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-PQFN
FDMS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
onsemi
10,344
现货
48,000
工厂
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.38891
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15.2A（Ta），28A（Tc）
4.5V，10V
6.8 毫欧 @ 15.2A，10V
3V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±25V
5915 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），73W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TO-220F
FDPF12N60NZ
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
onsemi
897
现货
1 : ¥18.80000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
12A（Tc）
10V
650 毫欧 @ 6A，10V
5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±30V
1676 pF @ 25 V
-
39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-252
SQD40P10-40L_GE3
MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Vishay Siliconix
2,375
现货
1 : ¥21.76000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.82615
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
38A（Tc）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 8.2A，10V
2.5V @ 250µA
144 nC @ 10 V
±20V
5540 pF @ 15 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
DMN10H100SK3-13
MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Diodes Incorporated
2,710
现货
42,500
工厂
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.28725
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tc）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 3.3A，10V
3V @ 250µA
25.2 nC @ 10 V
±20V
1172 pF @ 50 V
-
37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-3
NVD6416ANLT4G-VF01
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
onsemi
1,540
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.41426
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19A（Tc）
4.5V，10V
74 毫欧 @ 19A，10V
2.2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。