单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesPanjit International Inc.
系列
-CoolMOS™ CFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A（Tc）25A（Tc）29A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 11.4A，10V105 毫欧 @ 7.8A，10V130 毫欧 @ 10.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 390µA4.5V @ 570µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1503 pF @ 400 V1920 pF @ 400 V2103 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
33W（Tc）124W（Tc）140W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
ITO-220AB-FPG-HSOF-8-2PG-TO263-3-2
封装/外壳
8-PowerSFNTO-220-3 全封装，隔离接片TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TOLLLEADLESS
IPT60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Infineon Technologies
1,674
现货
1 : ¥36.45000
剪切带（CT）
2,000 : ¥17.01380
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
24A（Tc）
10V
105 毫欧 @ 7.8A，10V
4.5V @ 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R090CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Infineon Technologies
1,254
现货
1 : ¥44.58000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.80980
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
25A（Tc）
10V
90 毫欧 @ 11.4A，10V
4.5V @ 570µA
51 nC @ 10 V
±20V
2103 pF @ 400 V
-
124W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
1,976
现货
1 : ¥38.34000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
29A（Tc）
10V
130 毫欧 @ 10.8A，10V
4V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±30V
1920 pF @ 400 V
-
33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ITO-220AB-F
TO-220-3 全封装，隔离接片
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。