单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
590mA（Ta）9A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 9A，10V670 毫欧 @ 590mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.5 V47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30.3 pF @ 15 V2050 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta），1.67W（Tc）2.5W（Ta），39W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）SOT-883
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-101 SOT-883
PMZ550UNEYL
MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
48,211
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.49432
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
590mA（Ta）
1.5V，4.5V
670 毫欧 @ 590mA，4.5V
950mV @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±8V
30.3 pF @ 15 V
-
310mW（Ta），1.67W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
8-PQFN
FDMS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
onsemi
24,947
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.42098
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±25V
2050 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。