单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V45 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）250mA（Ta）2.5A（Ta）3A（Ta）4A（Ta）4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 4A，4.5V32 毫欧 @ 4.5A，4.5V62 毫欧 @ 3A，4.5V75 毫欧 @ 3A，4.5V95 毫欧 @ 2.5A，4.5V130 毫欧 @ 2.5A，4.5V1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 1mA1.5V @ 1mA2V @ 1mA2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V9.3 nC @ 4.5 V16 nC @ 4.5 V22.1 nC @ 4.5 V30 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-8V±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V25 pF @ 10 V115 pF @ 10 V250 pF @ 10 V630 pF @ 10 V840 pF @ 10 V1820 pF @ 10 V2000 pF @ 6 V2350 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）490mW（Ta），4.15W（Tc）700mW（Ta）1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）TO-236ABTSMT3VMT3
封装/外壳
SC-89，SOT-490SC-96SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
608,072
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.50622
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
EMT3F
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
10,247
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57761
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
VMT3 Pkg
RSM002N06T2L
MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Rohm Semiconductor
30,084
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.58292
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
TO-236AB
PMV27UPER
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
5,590
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14874
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
32 毫欧 @ 4.5A，4.5V
950mV @ 250µA
22.1 nC @ 4.5 V
±8V
1820 pF @ 10 V
-
490mW（Ta），4.15W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT3
RQ5C030TPTL
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
Rohm Semiconductor
13,992
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35462
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
75 毫欧 @ 3A，4.5V
2V @ 1mA
9.3 nC @ 4.5 V
±12V
840 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
TSMT3
RQ5H025TNTL
MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
10,111
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61443
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
130 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 1mA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
TSMT3
RZR040P01TL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
4,623
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.25685
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
30 nC @ 4.5 V
±10V
2350 pF @ 6 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
TSMT3
RQ5A030APTL
MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Rohm Semiconductor
21,005
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52171
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
3A（Ta）
1.5V，4.5V
62 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
16 nC @ 4.5 V
-8V
2000 pF @ 6 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
TSMT3
RQ5C025TPTL
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,990
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.66336
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
95 毫欧 @ 2.5A，4.5V
2V @ 1mA
7 nC @ 4.5 V
±12V
630 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。