单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7STripFET™ F6STripFET™ F7STripFET™ V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A(Ta),78A(Tc)36A(Tc)50A(Tc)56A(Tc)64A(Tc)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 毫欧 @ 16A,10V4.5 毫欧 @ 35A,10V8.5 毫欧 @ 32A,10V9 毫欧 @ 7.5A,10V15 毫欧 @ 25A,10V25 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.5 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V9.8 nC @ 10 V23 nC @ 10 V43 nC @ 10 V65.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±18V±20V+22V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
450 pF @ 25 V637 pF @ 25 V950 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V3525 pF @ 25 V3600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3W(Ta),60W(Tc)3.6W(Ta),50W(Tc)58W(Tc)62.5W(Tc)65W(Tc)150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)DPAKPowerFlat™(3.3x3.3)PowerFlat™(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFNTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PowerFlat
STL8N6F7
MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
STMicroelectronics
3,997
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.46954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
36A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
3W(Ta),60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(3.3x3.3)
8-PowerVDFN
PowerFlat™
STL56N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,010
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.62189
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
56A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 7.5A,10V
1V @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
+22V,-20V
950 pF @ 25 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
1,506
现货
141,000
工厂
1 : ¥14.37000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.80729
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
21A(Ta),78A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerFlat™
STL210N4F7AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
STMicroelectronics
1,438
现货
1 : ¥15.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.06136
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
10V
1.6 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD45P4LLF6AG
MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
STMicroelectronics
3,878
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.89127
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 25A,10V
2.5V @ 250µA
65.5 nC @ 10 V
±18V
3525 pF @ 25 V
-
58W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
查看交期
3,000 : ¥3.57890
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
64A(Tc)
10V
8.5 毫欧 @ 32A,10V
4V @ 250µA
9.8 nC @ 10 V
±20V
637 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。