单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™QFET®TrenchMOS™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）230mA（Ta）350mA（Ta）2.3A（Ta），6A（Tc）3.4A（Ta）， 22A（Tc）4A（Ta）13A（Ta）15A（Ta），50A（Tc）28A（Tc）33.5A（Tc）34A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4.5V2.5V，8V4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 30A，10V8 毫欧 @ 17A，10V9.9 毫欧 @ 9.8A，10V49毫欧 @ 4A，8V50 毫欧 @ 14A，10V60 毫欧 @ 16.75A，10V62 毫欧 @ 4.5A，10V111 毫欧 @ 18A， 10V200 毫欧 @ 6.5A，10V250 毫欧 @ 5A，10V2.8 欧姆 @ 250mA，10V4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V10 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA2.4V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1.7mA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.72 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V4.5 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V17.5 nC @ 10 V30 nC @ 10 V35 nC @ 10 V40 nC @ 10 V58 nC @ 10 V74 nC @ 10 V91 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.2 pF @ 25 V40 pF @ 25 V46 pF @ 15 V228 pF @ 50 V679 pF @ 10 V1239 pF @ 25 V1240 pF @ 25 V2400 pF @ 25 V2910 pF @ 25 V3000 pF @ 40 V3200 pF @ 50 V4234 pF @ 20 V5200 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）350mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）610mW（Ta），8.3W（Tc）1.6W（Ta），61W（Tc）1.6W（Ta），78W（Tc）1.7W（Ta）1.8W（Ta）2W（Ta），13.7W（Tc）3W（Ta），125W（Tc）3.75W（Ta），155W（Tc）20W（Tc）107W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）D2PAKPG-TO252-3SOT-223-3SOT-23-3TO-236ABTO-252TO-252-3TO-263（D2PAK）U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
416,749
现货
207,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31826
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZVN3310FTA
MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
Diodes Incorporated
7,347
现货
984,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86643
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-2
DMP4010SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
Diodes Incorporated
6,521
现货
90,000
工厂
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.09909
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-236AB
NX3008PBK,215
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
111,180
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35471
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
230mA（Ta）
2.5V，4.5V
4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.72 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV48XPA2R
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
13,316
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76680
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
2.5V，8V
49毫欧 @ 4A，8V
1.3V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
679 pF @ 10 V
-
610mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type F
DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Diodes Incorporated
26,100
现货
174,000
工厂
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71475
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4A（Ta）
4.5V，10V
62 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±20V
228 pF @ 50 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
SOT-223-3
DMP10H400SEQ-13
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Diodes Incorporated
4,398
现货
782,500
工厂
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.10718
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2.3A（Ta），6A（Tc）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1239 pF @ 25 V
-
2W（Ta），13.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
RB098BM-40FNSTL
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Rohm Semiconductor
4,231
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.71594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Ta）
4V，10V
200 毫欧 @ 6.5A，10V
2.5V @ 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
10,661
现货
1 : ¥30.21000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.27215
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
10V
4.5 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 1mA
58 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
1.6W（Ta），78W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
D2PAK SOT404
PHB27NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Nexperia USA Inc.
6,622
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
800 : ¥4.58584
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 14A，10V
4V @ 1mA
30 nC @ 10 V
±20V
1240 pF @ 25 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
4,836
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.64847
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.4A（Ta）， 22A（Tc）
10V
111 毫欧 @ 18A， 10V
4V @ 1.7mA
74 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 50 V
-
3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8,984
现货
1 : ¥18.88000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.41828
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
34A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 500µA
35 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 40 V
-
1.6W（Ta），61W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
TO-263
FQB34P10TM
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥23.15000
剪切带（CT）
800 : ¥13.99886
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33.5A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 16.75A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
2910 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），155W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。