单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™-5TrenchFET®U-MOSIX-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V75 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18.4A（Ta），108A（Tc）33A（Ta）45A（Tc）60A（Tc）70A（Tc）90A（Tc）92A（Tc）100A（Tc）120A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 50A，10V3.1 毫欧 @ 50A，10V3.7 毫欧 @ 46A，10V3.7mOhm @ 45A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4 毫欧 @ 50A，10V4.1 毫欧 @ 35A，10V4.4 毫欧 @ 30A，4.5V4.5 毫欧 @ 30A，10V4.5 毫欧 @ 46A，10V5.1 毫欧 @ 34A，10V5.6 毫欧 @ 30A，10V6.3 毫欧 @ 22.5A，10V29 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 90µA2.4V @ 200µA2.5V @ 1mA2.5V @ 500µA3V @ 192µA3.5V @ 500µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V27 nC @ 10 V52 nC @ 10 V55 nC @ 10 V58 nC @ 10 V60 nC @ 10 V67 nC @ 10 V72 nC @ 10 V75 nC @ 10 V78 nC @ 10 V83 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 100 V2500 pF @ 20 V4100 pF @ 50 V4300 pF @ 50 V5100 pF @ 50 V5200 pF @ 50 V5435 pF @ 30 V6000 pF @ 37.5 V6300 pF @ 50 V7400 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）960mW（Ta），132W（Tc）960mW（Ta），81W（Tc）1.6W（Ta），78W（Tc）2.5W（Ta），54W（Tc）2.5W（Ta），67W（Tc）3.8W（Ta），131W（Tc）78W（Tc）132W（Tc）142W（Tc）167W（Tc）210W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C150°C（TJ）175°C175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5.75）8-SOP Advance（5x5）LFPAK4（5x6）PG-TDSON-8-34TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSOT-1023，4-LFPAKTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
显示
/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
115,594
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.60209
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
150A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 1mA
72 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 37.5 V
-
142W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
6,564
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.92633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
4.4 毫欧 @ 30A，4.5V
2.5V @ 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
5435 pF @ 30 V
-
132W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
16,925
现货
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.58885
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
33A（Ta）
10V
29 毫欧 @ 16.5A，10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 100 V
-
78W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
102,310
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.59591
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
92A（Tc）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 46A，10V
2.4V @ 200µA
27 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 20 V
-
960mW（Ta），81W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
4,296
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.48294
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
45A（Tc）
4.5V，10V
6.3 毫欧 @ 22.5A，10V
2.5V @ 500µA
55 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），54W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
5,379
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.49934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
70A（Tc）
4.5V，10V
4.1 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 1mA
75 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），67W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
TPH3R70APL1,LQ
150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Toshiba Semiconductor and Storage
9,105
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.12505
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
4.5V，10V
3.7mOhm @ 45A，10V
2.5V @ 1mA
67 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 50 V
-
210W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5.75）
8-PowerTDFN
11,061
现货
1 : ¥21.35000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.27252
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
10V
4.5 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 1mA
58 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
1.6W（Ta），78W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-34
IAUC100N10S5L040ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Infineon Technologies
4,363
现货
1 : ¥21.51000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.33363
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 90µA
78 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM70040E-GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
150
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
800 : ¥14.59375
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
7.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
6,995
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.55644
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
92A（Tc）
10V
4.5 毫欧 @ 46A，10V
4V @ 1mA
58 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
800mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5.75）
8-PowerTDFN
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
TPH5R60APL,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Toshiba Semiconductor and Storage
3,194
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.10004
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
5.6 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 500µA
52 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 50 V
-
960mW（Ta），132W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
SOT 1023
NVMYS005N10MCLTWG
PTNG 100V LL LFPAK4
onsemi
3,000
现货
1 : ¥20.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.91678
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18.4A（Ta），108A（Tc）
4.5V，10V
5.1 毫欧 @ 34A，10V
3V @ 192µA
55 nC @ 10 V
±20V
4100 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），131W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK4（5x6）
SOT-1023，4-LFPAK
100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
TPH3R10AQM,LQ
100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Toshiba Semiconductor and Storage
5
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.60232
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
6V，10V
3.1 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 500µA
83 nC @ 10 V
±20V
7400 pF @ 50 V
-
210W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5.75）
8-PowerTDFN
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。