单齐纳二极管

结果 : 6
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
包装
剪切带（CT）带盒（TB）散装
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
3.3 V3.9 V4.7 V5.6 V6.2 V15 V
功率 - 最大值
400 mW500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
10 Ohms30 Ohms40 Ohms80 Ohms90 Ohms95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 nA @ 10.5 V1 µA @ 2 V3 µA @ 2 V3 µA @ 4 V10 µA @ 1 V25 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900 mV @ 10 mA1.5 V @ 100 mA
供应商器件封装
ALF2DO-35
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗（最大值）(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOD27, DO-35 Axial
BZX79-C4V7,133
DIODE ZENER 4.7V 400MW ALF2
Nexperia USA Inc.
23,370
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.12124
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
4.7 V
±5%
400 mW
80 Ohms
3 µA @ 2 V
900 mV @ 10 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
ALF2
DO-35
BZX79C15
DIODE ZENER 15V 500MW DO35
onsemi
11,790
现货
55,000
工厂
1 : ¥1.23000
散装
-
散装
在售
15 V
±5%
500 mW
30 Ohms
50 nA @ 10.5 V
1.5 V @ 100 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
DO-35
BZX79C5V6
DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
onsemi
6,582
现货
15,000
工厂
1 : ¥1.23000
散装
-
散装
在售
5.6 V
±5%
500 mW
40 Ohms
1 µA @ 2 V
1.5 V @ 100 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
DO-35
BZX79C6V2
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
onsemi
10,746
现货
25,000
工厂
1 : ¥1.31000
散装
-
散装
在售
6.2 V
±5%
500 mW
10 Ohms
3 µA @ 4 V
1.5 V @ 100 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
DO-35
BZX79C3V3
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
onsemi
7,564
现货
1 : ¥1.31000
散装
-
散装
在售
3.3 V
±5%
500 mW
95 Ohms
25 µA @ 1 V
1.5 V @ 100 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
DO-35
BZX79C3V9
DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
onsemi
9,189
现货
1 : ¥1.89000
散装
-
散装
在售
3.9 V
±5%
500 mW
90 Ohms
10 µA @ 1 V
1.5 V @ 100 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
显示
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单齐纳二极管

齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。