单双极晶体管

结果 : 4
制造商
Microchip Technologyonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
1 A3 A10 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V70 V80 V400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
500mV @ 50mA,500mA1V @ 200mA,1A1.5V @ 250mA,2.5A2.5V @ 1A,10A
电流 - 集电极截止(最大值)
10nA1µA10µA200µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
30 @ 300mA,10V35 @ 500mA,1V50 @ 1A,5V50 @ 500mA,10V
功率 - 最大值
500 mW1 W1.56 W
频率 - 跃迁
10MHz-
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-205AA,TO-5-3 金属罐TO-205AD,TO-39-3 金属罐TO-206AA,TO-18-3 金属罐TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
供应商器件封装
DPAKTO-18TO-39TO-5AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DPAK_369C
MJD50T4G
TRANS NPN 400V 1A DPAK
onsemi
35,135
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.02999
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
1 A
400 V
1V @ 200mA,1A
200µA
30 @ 300mA,10V
1.56 W
10MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
TO-18
2N3700
TRANS NPN 80V 1A TO18
Microchip Technology
195
现货
1 : ¥39.16000
散装
-
散装
在售
NPN
1 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
10nA
50 @ 500mA,10V
500 mW
-
-65°C ~ 200°C(TJ)
通孔
TO-206AA,TO-18-3 金属罐
TO-18
0
现货
查看交期
100 : ¥81.68760
散装
-
散装
在售
NPN
10 A
70 V
2.5V @ 1A,10A
10µA
50 @ 1A,5V
1 W
-
-65°C ~ 200°C(TJ)
通孔
TO-205AA,TO-5-3 金属罐
TO-5AA
TO-39
2N3507
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Microchip Technology
0
现货
查看交期
100 : ¥200.23800
散装
-
散装
在售
NPN
3 A
50 V
1.5V @ 250mA,2.5A
1µA
35 @ 500mA,1V
1 W
-
-65°C ~ 200°C(TJ)
通孔
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
TO-39
显示
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。