单双极晶体管

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.STMicroelectronics
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
晶体管类型
NPN - 达林顿PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
500 mA8 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
700mV @ 50mA,500mA4V @ 80mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
160 @ 100mA,1V1000 @ 4A,4V
功率 - 最大值
250 mW20 W
频率 - 跃迁
80MHz-
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
供应商器件封装
TO-236ABTO-251(IPAK)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
I-Pak
MJD122-1
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
STMicroelectronics
2,774
现货
1 : ¥7.96000
散装
-
散装
在售
NPN - 达林顿
8 A
100 V
4V @ 80mA,8A
10µA
1000 @ 4A,4V
20 W
-
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251(IPAK)
TO-236AB
BC807-25LVL
BC807-25L/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
9,752
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.09793
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
500 mA
45 V
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
160 @ 100mA,1V
250 mW
80MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
显示
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。