单双极晶体管

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 mA600 mA1 A4.3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
20 V40 V50 V60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
200mV @ 400mA，4A300mV @ 1mA，10mA500mV @ 50mA，500mA750mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
50nA（ICBO）100nA100nA（ICBO）-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
63 @ 150mA，2V100 @ 150mA，2V250 @ 100µA，5V300 @ 2A，2V
功率 - 最大值
150 mW300 mW1.1 W1.35 W
频率 - 跃迁
40MHz165MHz180MHz200MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
封装/外壳
SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AA
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）SOT-523SOT-89TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 23-3
MMBT5087LT1G
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
onsemi
55,909
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27486
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
50 mA
50 V
300mV @ 1mA，10mA
50nA（ICBO）
250 @ 100µA，5V
300 mW
40MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3（TO-236）
SOT-523
MMBT4403T-7-F
TRANS PNP 40V 0.6A SOT523
Diodes Incorporated
17,389
现货
225,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38482
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
600 mA
40 V
750mV @ 50mA，500mA
-
100 @ 150mA，2V
150 mW
200MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-89
BCX55,115
TRANS NPN 60V 1A SOT89
Nexperia USA Inc.
13,417
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
1,000 : ¥0.89503
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
1 A
60 V
500mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
63 @ 150mA，2V
1.35 W
180MHz
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-243AA
SOT-89
TO-236AB
PBSS4021NT,215
TRANS NPN 20V 4.3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
11,270
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.23183
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
4.3 A
20 V
200mV @ 400mA，4A
100nA
300 @ 2A，2V
1.1 W
165MHz
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
显示
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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。