单双极晶体管

结果 : 4
制造商
Comchip TechnologyNexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
600 mA700 mA2 A3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
30 V40 V60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
220mV @ 10mA，200mA225mV @ 50mA，1A550mV @ 200mA，2A1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
10nA100nA100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
100 @ 150mA，10mV150 @ 500mA，2V200 @ 10mA，2V300 @ 1mA，5V
功率 - 最大值
300 mW650 mW700 mW1.25 W
频率 - 跃迁
110MHz150MHz300MHz520MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C（TJ）
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
3-CPHLFPAK56，Power-SO8SOT-223SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-23-3
MMBT2222A-G
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Comchip Technology
34,096
现货
30,000
工厂
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
600 mA
40 V
1V @ 50mA，500mA
10nA
100 @ 150mA，10mV
300 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PHPT60603PYX
TRANS PNP 60V 3A LFPAK56 PWRSO8
Nexperia USA Inc.
57,781
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
1,500 : ¥1.55981
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
3 A
60 V
225mV @ 50mA，1A
100nA（ICBO）
150 @ 500mA，2V
1.25 W
110MHz
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
SC-100，SOT-669
LFPAK56，Power-SO8
30A02CH-TL-E
30A02CH-TL-E
TRANS PNP 30V 0.7A 3CPH
onsemi
7,436
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79156
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
700 mA
30 V
220mV @ 10mA，200mA
100nA（ICBO）
200 @ 10mA，2V
700 mW
520MHz
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
3-CPH
SOT223
PBSS4240ZF
TRANS NPN 40V 2A SOT223
Nexperia USA Inc.
4,240
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.06141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
2 A
40 V
550mV @ 200mA，2A
100nA
300 @ 1mA，5V
650 mW
150MHz
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
显示
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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。