单双极晶体管

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
600 mA3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
25 V30 V40 V60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 300mA，3A400mV @ 300mA，3A1V @ 50mA，500mA1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
10nA（ICBO）20nA（ICBO）100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
100 @ 150mA，10V100 @ 1A，2V270 @ 1A，2V
功率 - 最大值
250 mW460 mW900 mW2.1 W
频率 - 跃迁
210MHz240MHz300MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
封装/外壳
3-PowerUDFN3-XFDFN8-PowerVDFN
供应商器件封装
3-HUSON（2x2）DFN1006B-3PowerDI3333-8（SWP）UX 类X2-DFN1006-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
X2-DFN1006-3
MMBT2222ALP4-7B
TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
Diodes Incorporated
680,494
现货
270,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.20525
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
600 mA
40 V
1V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
460 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
3-HUSON
PBSS4330PA,115
TRANS NPN 30V 3A 3HUSON
Nexperia USA Inc.
7,198
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09546
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
3 A
30 V
300mV @ 300mA，3A
100nA
270 @ 1A，2V
2.1 W
210MHz
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-PowerUDFN
3-HUSON（2x2）
8-PowerVDFN_BOTTOM
DXTN07025BFG-7
TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Diodes Incorporated
3,580
现货
8,000
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.50802
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
3 A
25 V
400mV @ 300mA，3A
20nA（ICBO）
100 @ 1A，2V
900 mW
240MHz
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装，可润湿侧翼
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8（SWP）UX 类
3-XQFN
PMBT2907AMBYL
PMBT2907AMB/SOT883/XQFN3
Nexperia USA Inc.
19,479
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.31732
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
600 mA
60 V
1.6V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
250 mW
210MHz
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
3-XFDFN
DFN1006B-3
显示
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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。