单双极晶体管

结果 : 9
制造商
Central Semiconductor CorpGood-Ark SemiconductorMicrochip Technologyonsemi
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
200 mA600 mA800 mA4 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
40 V50 V60 V80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 5mA，50mA600mV @ 125mA，1A1V @ 50mA，500mA1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
10nA10nA（ICBO）50nA1µA10µA-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
40 @ 100mA，1V100 @ 10mA，1V100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值
400 mW500 mW625 mW800 mW25 W
频率 - 跃迁
200MHz300MHz-
工作温度
-65°C ~ 200°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 200°C（TJ）200°C（TJ）
等级
-军用
资质
-MIL-PRF-19500/255MIL-PRF-19500/291
封装/外壳
TO-205AD，TO-39-3 金属罐TO-206AA，TO-18-3 金属罐TO-213AA，TO-66-2TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装
TO-18TO-206AA（TO-18）TO-218TO-39（TO-205AD）TO-66（TO-213AA）TO-92-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N3904BU
TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3
onsemi
106,840
现货
1 : ¥2.87000
散装
-
散装
在售
NPN
200 mA
40 V
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
625 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3
7,809
现货
1 : ¥19.38000
散装
-
散装
在售
NPN
800 mA
40 V
1V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
500 mW
300MHz
-65°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
TO-18
TO-39 TO-205AD
2N2219A
TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Microchip Technology
1,912
现货
1 : ¥55.91000
散装
-
散装
在售
NPN
800 mA
50 V
1V @ 50mA，500mA
10nA
100 @ 150mA，10V
800 mW
-
-55°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
TO-39（TO-205AD）
TO-39 TO-205AD
2N2905A
TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Microchip Technology
193
现货
1 : ¥96.79000
散装
-
散装
在售
PNP
600 mA
60 V
1.6V @ 50mA，500mA
1µA
100 @ 150mA，10V
800 mW
-
-65°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
TO-39（TO-205AD）
435
现货
1 : ¥121.18000
散装
-
散装
在售
PNP
4 A
80 V
600mV @ 125mA，1A
10µA
40 @ 100mA，1V
25 W
-
-65°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
TO-213AA，TO-66-2
TO-66（TO-213AA）
2N2906
2N2907A
TRANSISTOR, PNP, -60V, -0.60A, T
Good-Ark Semiconductor
1,043
现货
1 : ¥15.93000
散装
-
散装
在售
PNP
600 mA
60 V
1.6V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
400 mW
200MHz
200°C（TJ）
-
-
通孔
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
TO-18
TO-18
JAN2N2222A
TRANS NPN 50V 0.8A TO218
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥19.62000
散装
-
散装
在售
NPN
800 mA
50 V
1V @ 50mA，500mA
50nA
100 @ 150mA，10V
500 mW
-
-65°C ~ 200°C（TJ）
军用
MIL-PRF-19500/255
通孔
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
TO-218
TO-18
2N2222A
TRANS NPN 50V 0.8A TO18
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥23.81000
散装
-
散装
在售
NPN
800 mA
50 V
1V @ 50mA，500mA
50nA
100 @ 150mA，10V
500 mW
-
-65°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
TO-18
TO-18
JANTX2N2907A
TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥24.22000
散装
-
散装
在售
PNP
600 mA
60 V
1.6V @ 50mA，500mA
50nA
100 @ 150mA，10V
500 mW
-
-65°C ~ 200°C（TJ）
军用
MIL-PRF-19500/291
通孔
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
TO-206AA（TO-18）
显示
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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。