22A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 40
制造商
Diodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DTMOSIV-HeGaN®FASTIRFET™HEXFET®NexFET™PowerTrench®U-MOSV-HU-MOSVI-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V25 V30 V55 V60 V80 V150 V200 V450 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.6 毫欧 @ 68A,10V2.9 毫欧 @ 22A,10V3 毫欧 @ 15A,4.5V3 毫欧 @ 21A,10V3.4 毫欧 @ 11A,10V3.5 毫欧 @ 80A,10V3.9 毫欧 @ 50A,10V4 毫欧 @ 50A,10V4.6 毫欧 @ 30A7.5 毫欧 @ 11A,10V8 毫欧 @ 11A,10V8.3 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.9V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 25µA2.3V @ 200µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 3mA3V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 1.1mA3.6V @ 150µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.1 nC @ 4.5 V5.3 nC @ 5 V6.6 nC @ 4.5 V6.7 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V20 nC @ 5 V23 nC @ 5 V27 nC @ 10 V30 nC @ 10 V31 nC @ 10 V32 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±8V±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
419 pF @ 10 V468 pF @ 15 V540 pF @ 100 V690 pF @ 25 V700 pF @ 25 V890 pF @ 25 V997 pF @ 6 V1011 pF @ 13 V1100 pF @ 25 V1500 pF @ 10 V1800 pF @ 25 V1911 pF @ 75 V
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),27W(Tc)700mW(Ta),30W(Tc)800mW(Ta)1.2W(Ta),45W(Tc)1.6W(Ta),45W(Tc)2.5W(Ta)2.5W(Ta),65W(Tc)2.7W(Ta)2.8W(Ta)3.1W(Ta),77W(Tc)3.5W(Ta),27W(Tc)3.6W(Ta),156W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-DFN-EP(8x8)5-DFN(5x6)(8-SOFL)5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)6-SON(2x2)6-WSON(2x2)8-DFN(5x6)8-PQFN(5x6)8-SOP8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.3x3.3)36-BGA(5x5.5)CPT3
封装/外壳
4-VSFN 裸露焊盘6-PowerUDFN6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘8-VQFN36-VFBGATO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
40结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 40
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
5,792
现货
1 : ¥53.86000
剪切带(CT)
2,500 : ¥28.63567
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
22A(Ta)
5V
25 毫欧 @ 12A,5V
2.5V @ 3mA
5.3 nC @ 5 V
+6V,-4V
540 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
6-WDFN Exposed Pad
CSD17571Q2
MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Texas Instruments
18,799
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11295
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 5A,4.5V
2V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
468 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-SON(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
6-WDFN Exposed Pad
CSD15571Q2
MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Texas Instruments
2,342
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06410
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
22A(Ta)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 5A,10V
1.9V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
419 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-SON(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
6-WSON
CSD13202Q2
MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Texas Instruments
10,468
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.55327
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
22A(Ta)
2.5V,4.5V
9.3 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 250µA
6.6 nC @ 4.5 V
±8V
997 pF @ 6 V
-
2.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WSON(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
RB098BM-40FNSTL
RD3L220SNTL1
MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Rohm Semiconductor
10,225
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.88483
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta)
4V,10V
26 毫欧 @ 22A,10V
3V @ 1mA
30 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 10 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
26,087
现货
1 : ¥11.25000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.36146
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta)
10V
7.5 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 300µA
31 nC @ 10 V
±20V
2320 pF @ 30 V
-
1.6W(Ta),45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
RB098BM-40FNSTL
RD3L220SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Rohm Semiconductor
2,259
现货
1 : ¥16.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.95781
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta)
4V,10V
26 毫欧 @ 22A,10V
3V @ 1mA
30 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 10 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C645NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
onsemi
1,037
现货
1 : ¥23.48000
剪切带(CT)
1,500 : ¥11.14432
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 50 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN,5 引线
TO-220SIS
TK22A65X5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
2,178
现货
1 : ¥31.53000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Ta)
10V
160 毫欧 @ 11A,10V
4.5V @ 1.1mA
50 nC @ 10 V
±30V
2400 pF @ 300 V
-
45W(Tc)
150°C
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
TO-220SIS
TK22A65X,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
183
现货
1 : ¥21.35000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Ta)
10V
150 毫欧 @ 11A,10V
3.5V @ 1.1mA
50 nC @ 10 V
±30V
2400 pF @ 300 V
-
45W(Tc)
150°C
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
TK22V65X5,LQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Toshiba Semiconductor and Storage
2,500
现货
1 : ¥43.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥21.12094
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Ta)
10V
170 毫欧 @ 11A,10V
4.5V @ 1.1mA
50 nC @ 10 V
±30V
2400 pF @ 300 V
-
180W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
4-DFN-EP(8x8)
4-VSFN 裸露焊盘
TO-220-3
NTP22N06
MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB
onsemi
0
现货
5,520
市场
2,664 : ¥0.80138
管件
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta)
10V
60 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
60W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTB22N06T4
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
onsemi
0
现货
4,800
市场
1,268 : ¥1.74847
散装
-
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta)
10V
60 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
60W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
2,500
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta)
-
3.4 毫欧 @ 11A,10V
-
34 nC @ 4.5 V
-
5100 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TEXTISCSD86336Q3DT
FDMS0308CS
MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN
Fairchild Semiconductor
14,783
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta)
-
3 毫欧 @ 21A,10V
3V @ 1mA
66 nC @ 10 V
-
4225 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),65W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
IRG4RC10UTRPBF
FDB2570
MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
Fairchild Semiconductor
4,529
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
22A(Ta)
6V,10V
80 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
1911 pF @ 75 V
-
93W(Tc)
-65°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
NTP22N06L
MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta)
5V
65 毫欧 @ 11A,5V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±10V
690 pF @ 25 V
-
60W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
U-DFN2020-6 Type E
DMN1003UFDE-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥1.50896
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
22A(Ta)
2.5V,4.5V
3 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
45 nC @ 8 V
±8V
2551 pF @ 6 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
U-DFN2020-6 Type E
DMN1003UFDE-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Diodes Incorporated
0
现货
219,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.73252
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
22A(Ta)
2.5V,4.5V
3 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
45 nC @ 8 V
±8V
2551 pF @ 6 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
8-DFN
GKI03026
MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN
Sanken Electric USA Inc.
15
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 68A,10V
2.5V @ 1mA
64 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),77W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTB22N06LT4
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta)
5V
65 毫欧 @ 11A,5V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±10V
690 pF @ 25 V
-
60W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRFP22N60C3PBF
MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Ta)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220-3
FDP2570
MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
22A(Ta)
6V,10V
80 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
1911 pF @ 75 V
-
93W(Tc)
-65°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263
FDB2570
MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
22A(Ta)
6V,10V
80 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
1911 pF @ 75 V
-
93W(Tc)
-65°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MOSFET N-CH 30V 22A 36BGA
FDZ5047N
MOSFET N-CH 30V 22A 36BGA
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta)
4.5V,10V
2.9 毫欧 @ 22A,10V
3V @ 250µA
73 nC @ 5 V
±20V
4993 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
36-BGA(5x5.5)
36-VFBGA
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22A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。