8-PowerVDFN 单 FET，MOSFET

结果 : 1,310
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Cambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon Technologies Canada Inc.International Rectifier
系列
-*AlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7DeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIDUAL COOL®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
12 V20 V24 V25 V30 V40 V45 V60 V65 V75 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
430mA（Tc）650mA（Ta），2.2A（Tc）700mA（Ta），1.4A（Tc）900mA（Ta），2.5A（Tc）1A（Tc）1.1A（Ta），4.6A（Tc）1.2A（Ta），4A（Tc）1.3A（Ta），6.6A（Tc）1.4A（Ta），3.5A（Tc）1.5A（Ta），5A（Tc）1.5A（Ta），7.6A（Tc）1.7A（Ta），9.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，10V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V3.3V，10V3.8V，10V4V，10V4.5V4.5V，10V4.5V，20V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.56 毫欧 @ 64A，10V0.6 毫欧 @ 50A，10V0.65 毫欧 @ 50A，10V0.74 毫欧 @ 50A，10V0.75 毫欧 @ 60A，10V0.79 毫欧 @ 75A，10V0.8 毫欧 @ 50A，10V0.85 毫欧 @ 50A，10V0.87 毫欧 @ 50A，10V0.9 毫欧 @ 30A，10V0.95 毫欧 @ 50A，10V1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
500mV @ 250µA（最小）700mV @ 250µA（最小）900mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA（最小）1.1V @ 150µA1.1V @ 250µA1.15V @ 250µA1.2V @ 1mA1.2V @ 1mA（最小）1.2V @ 200µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 6 V0.8 nC @ 6 V1.2 nC @ 12 V1.4 nC @ 12 V1.5 nC @ 6 V1.6 nC @ 6 V1.9 nC @ 12 V2.2 nC @ 6 V2.3 nC @ 12 V2.7 nC @ 6 V2.8 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 6 V
Vgs（最大值）
-6V+5V，-20V+6V，-10V+7V，-1.4V+7V，-10V±8V+10V，-20V±10V±12V±16V±18V+20V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26 pF @ 400 V30 pF @ 400 V52 pF @ 400 V54 pF @ 400 V70 pF @ 400 V85 pF @ 400 V95 pF @ 100 V96 pF @ 400 V110 pF @ 100 V125 pF @ 400 V155 pF @ 100 V159 pF @ 50 V
FET 功能
-电流检测肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
125mW（Ta），3W（Tc）600mW（Ta）610mW（Ta），61W（Tc）630mW（Ta），104W（Tc）630mW（Ta），57W（Tc）630mW（Ta），75W（Tc）630mW（Ta），86W（Tc）700mW（Ta），15W（Tc）700mW（Ta），17W（Tc）700mW（Ta），18W（Tc）700mW（Ta），19W（Tc）700mW（Ta），22W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）175°C175°C（TJ）-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-DFN-EP（5x6）8-DFN（3.15x3.05）8-DFN（5x6.15）8-DFN（5x6）8-DSOP Advance8-Dual Cool™888-HSMT（3.2x3）8-HVSON（3.3x3.3）8-HVSON（5x5.4）8-HWSON（3.3x3.3）8-PDFN（3.1x3.08）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,310结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 1,310
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMG7430LFG-7
MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Diodes Incorporated
85,682
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
2,000 : ¥0.89524
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10.5A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
26.7 nC @ 10 V
±20V
1281 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
253,180
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.16087
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
16.5 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
223,391
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.84721
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 17A，10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1995 pF @ 15 V
-
5W（Ta），28W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT10H072LFV-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Diodes Incorporated
3,349
现货
300,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.33389
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.7A（Ta），20A（Tc）
6V，10V
62 毫欧 @ 4.5A，10V
2.8V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±20V
228 pF @ 50 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8（UX 类）
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMN1004UFV-7
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Diodes Incorporated
73,397
现货
50,000
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.52731
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
70A（Tc）
2.5V，4.5V
3.8 毫欧 @ 15A，4.5V
1V @ 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
2385 pF @ 6 V
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8（UX 类）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON7522E
MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
4,677
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.45108
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1540 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMP2008UFG-7
MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Diodes Incorporated
52,672
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.55818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14A（Ta），54A（Tc）
1.5V，4.5V
8 毫欧 @ 12A，4.5V
1V @ 250µA
72 nC @ 4.5 V
±8V
6909 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-VSONP
CSD19538Q3A
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Texas Instruments
14,997
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.78422
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Ta）
6V，10V
59 毫欧 @ 5A，10V
3.8V @ 250µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
454 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），23W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
33,932
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.85733
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
26A（Tc）
4.5V，10V
11.4mOhm @ 13A，10V
2.5V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW（Ta），61W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
9,094
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.88026
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
48A（Tc）
4.5V，10V
9.7 毫欧 @ 15A，4.5V
2.4V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON7528
MOSFET N-CH 30V 45A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
166,292
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.65833
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
45A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
2 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 15 V
-
6.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON7296
MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
94,794
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.81345
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5A（Ta），12.5A（Tc）
4.5V，10V
66 毫欧 @ 5A，10V
2.8V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
415 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta），20.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON7407
MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
109,924
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.62521
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14.5A（Ta），40A（Tc）
1.8V，4.5V
9.5 毫欧 @ 14A，4.5V
900mV @ 250µA
53 nC @ 4.5 V
±8V
4195 pF @ 10 V
-
3.1W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON7524
MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
14,411
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.88060
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta），28A（Tc）
2.5V，10V
3.3 毫欧 @ 20A，10V
1.2V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±12V
2250 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
10,702
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.98343
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
34A（Tc）
6V，10V
19 毫欧 @ 17A，10V
3.5V @ 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW（Ta），57W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
8-DFN
AONR21357
MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
7,472
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.99255
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
7.8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
5W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
33,206
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.33886
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Tc）
4.5V，10V
11.4 毫欧 @ 8.5A，10V
2.5V @ 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta），34W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
8-TSDSON
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
95,960
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.42861
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
43,990
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.67758
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
4.5V，10V
1.6 毫欧 @ 40A，10V
2.1V @ 300µA
41 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 15 V
-
104W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT6008LFG-7
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Diodes Incorporated
17,381
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.63810
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
50.4 nC @ 10 V
±12V
2713 pF @ 30 V
-
2.2W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Diodes Incorporated
11,323
现货
3,058,000
工厂
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.91251
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.1A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
24.1 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PG-TSDSON-8-34
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Infineon Technologies
9,350
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.78219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
51,006
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98840
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
76A（Tc）
1.8V，4.5V
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMP4013LFG-7
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Diodes Incorporated
60,661
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.76880
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10.3A（Ta）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
68.6 nC @ 10 V
±20V
3426 pF @ 20 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
23,754
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.63935
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 40A，10V
2.4V @ 300µA
41 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 20 V
-
630mW（Ta），104W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
显示
/ 1,310

8-PowerVDFN 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。