SQ2309ES-T1_BE3 Vishay Siliconix | 分立半导体产品

SQ2309ES-T1_BE3
DigiKey 零件编号	742-SQ2309ES-T1_BE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SQ2309ES-T1_BE3CT-ND - 剪切带（CT）
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SQ2309ES-T1_BE3
描述	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
EDA/CAD 模型	SQ2309ES-T1_BE3 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	335 毫欧 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	265 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号	SQ2309