SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage | 分立半导体产品

SSM3J120TU,LF
DigiKey 零件编号	SSM3J120TULFTR-ND - 卷带（TR） SSM3J120TULFCT-ND - 剪切带（CT） SSM3J120TULFDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	SSM3J120TU,LF
描述	MOSFET P-CH 20V 4A UFM
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 20 V 4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SSM3J120TU,LF 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSIV
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	38 毫欧 @ 3A，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	22.3 nC @ 4 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1484 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	UFM
封装/外壳	3-SMD，扁平引线
基本产品编号	SSM3J120

SSM3J120TU,LF