STW28N65M2 | |
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DigiKey 零件编号 | 497-15575-5-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | STW28N65M2 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 20A TO247 |
原厂标准交货期 | 16 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 20A(Tc) 170W(Tc) TO-247-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | STW28N65M2 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 180 毫欧 @ 10A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 35 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1440 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 170W(Tc) | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥32.76000 | ¥32.76 |
30 | ¥25.96767 | ¥779.03 |
120 | ¥22.25675 | ¥2,670.81 |
510 | ¥19.78386 | ¥10,089.77 |
1,020 | ¥16.93988 | ¥17,278.68 |
2,010 | ¥15.95071 | ¥32,060.93 |
5,010 | ¥15.30308 | ¥76,668.43 |
制造商标准包装
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