FQT4N20TF 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


STMicroelectronics
现货: 35,307
单价: ¥5.75000
规格书

FQT4N20TF

DigiKey 零件编号
FQT4N20TF-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
FQT4N20TF
描述
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 200 V 850mA(Tc) 2.2W(Tc) SOT-223-4
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
FQT4N20TF 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 欧姆 @ 425mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
220 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.2W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-4
封装/外壳
基本产品编号