FQB19N20CTM 已经过时且不再制造。
可用替代品:
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 170 毫欧 @ 9.5A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 53 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1080 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 3.13W(Ta),139W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-263(D2PAK) | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |