IXFN48N55 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似

APT38F50J
Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥224.20150
规格书

类似

STE48NM50
STMicroelectronics
现货: 42
单价: ¥238.90000
规格书
查看所有替代品并进行比较

IXFN48N55

DigiKey 零件编号
IXFN48N55-ND
制造商
IXYS
制造商产品编号
IXFN48N55
描述
MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
客户内部零件编号
详细描述
底座安装 N 通道 550 V 48A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
550 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
600W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
基本产品编号
IXFN48