Name: IPI076N12N3GAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI076N12N3GAKSA1-ND
Price: 16.01 CNY
Availability: InStock

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	7.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	101 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6640 pF @ 60 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	188W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO262-3
封装/外壳	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
基本产品编号	IPI076

IPI076N12N3GAKSA1