Name: IPD060N03LGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD060N03LGBTMA1-ND
Price: 2.64559 CNY
Availability: OutOfStock

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
零件状态	不适用于新设计
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2300 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	56W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO252-3
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号	IPD060

IPD060N03LGBTMA1