Name: IAUT165N08S5N029ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT165N08S5N029ATMA2TR-ND
Price: 24.79 CNY
Availability: InStock

IAUT165N08S5N029ATMA2
DigiKey 零件编号	IAUT165N08S5N029ATMA2TR-ND - 卷带（TR） IAUT165N08S5N029ATMA2CT-ND - 剪切带（CT） IAUT165N08S5N029ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IAUT165N08S5N029ATMA2
描述	MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 165A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOF-8-1
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IAUT165N08S5N029ATMA2 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	165A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.9 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.8V @ 108µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6370 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	167W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOF-8-1
封装/外壳	8-PowerSFN
基本产品编号	IAUT165