Name: DMN1019USNQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN1019USNQ-13-ND
Price: 0.90477 CNY
Availability: OutOfStock

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Diodes Incorporated
系列	-
包装	卷带（TR）
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	800mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	50.6 nC @ 8 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2426 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	680mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SC-59-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号	DMN1019

DMN1019USNQ-13