RF FET，MOSFET

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技术
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
MRF8Sxxxx0HSR3 Series
MRF6S19200HSR3
RF MOSFET LDMOS 28V NI780
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
LDMOS
1.93GHz ~ 1.99GHz
17.9dB
28 V
-
-
1.6 A
56W
66 V
底座安装
NI-780S
NI-780S
MRF8Sxxxx0HSR3 Series
MRF6S19200HSR5
RF MOSFET LDMOS 28V NI780
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
LDMOS
1.93GHz ~ 1.99GHz
17.9dB
28 V
-
-
1.6 A
56W
66 V
底座安装
NI-780S
NI-780S
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。