单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
CoolMOS™OptiMOS™PowerTrench®QFET®ThunderFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V250 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）5.5A（Tc）21A（Tc）24.2A（Tc）31.2A（Tc）141A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V4.3 毫欧 @ 10A，10V63 毫欧 @ 10A，10V105 毫欧 @ 3A，10V110 毫欧 @ 12.7A，10V115 毫欧 @ 9.7A，10V2.5 欧姆 @ 2.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 279µA4V @ 250µA4.5V @ 1.3mA4.5V @ 490µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V30 nC @ 7.5 V30 nC @ 10 V41 nC @ 10 V71 nC @ 10 V118 nC @ 10 V222 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
759 pF @ 30 V1310 pF @ 25 V1405 pF @ 125 V1950 pF @ 400 V3240 pF @ 100 V3866 pF @ 25 V16900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）104W（Tc）113W（Tc）114W（Tc）158W（Tc）277.8W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO263-7PG-TO263-7-11PowerPAK® 1212-8SLWPowerPAK® SO-8SuperSOT™-6TO-220-3
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SLWPowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-220-3TO-247-3TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SG6858TZ
FDC5614P
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
onsemi
30,923
现货
276,000
工厂
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.75753
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
759 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TO-263-7, D2Pak
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
3,870
现货
1 : ¥56.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥32.33292
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
180A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 279µA
222 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-220-3
FQP6N80C
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
onsemi
694
现货
1 : ¥19.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
5.5A（Tc）
10V
2.5 欧姆 @ 2.75A，10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
1310 pF @ 25 V
-
158W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
PowerPAK_1212-8SLW_Top
SQS160ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
4,935
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.36498
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
141A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3866 pF @ 25 V
-
113W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerPAK® 1212-8SLW
PowerPAK® 1212-8SLW
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R110CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Infineon Technologies
236
现货
1 : ¥50.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
31.2A（Tc）
10V
110 毫欧 @ 12.7A，10V
4.5V @ 1.3mA
118 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 100 V
-
277.8W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
PG-TO263-7-12
IPBE65R115CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7
Infineon Technologies
976
现货
1 : ¥39.41000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.37509
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
21A（Tc）
10V
115 毫欧 @ 9.7A，10V
4.5V @ 490µA
41 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 400 V
-
114W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-11
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR692DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥14.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.35778
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
24.2A（Tc）
7.5V，10V
63 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 7.5 V
±20V
1405 pF @ 125 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。