单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedEPCNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-eGaN®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V200 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）280mA（Ta）3.6A（Tc）11.5A（Tc）29A（Ta）31A（Ta），100A（Tc）45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V5V，10V6V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 20A，10V6 毫欧 @ 16A，5V55 毫欧 @ 22.5A，10V190 毫欧 @ 3.9A，6V1.5 欧姆 @ 2.2A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V4.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.5V @ 12.2mA2.5V @ 250µA2.5V @ 4mA3V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V2.8 nC @ 6 V7.4 nC @ 5 V20 nC @ 10 V80 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V+7V，-1.4V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V87 pF @ 25 V96 pF @ 400 V340 pF @ 25 V851 pF @ 50 V4200 pF @ 25 V12900 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）380mW（Ta）1.56W（Ta），211W（Tc）2.5W（Ta），42W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）125W（Tc）-
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
DFN5060-5DPAKPowerPAK® SO-8SOT-23-3TO-263S模具
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
NDS7002A
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
onsemi
213,137
现货
54,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49738
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP10H4D2S-7
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Diodes Incorporated
69,452
现货
2,514,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71143
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
270mA（Ta）
4V，10V
4.2 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
87 pF @ 25 V
-
380mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Vishay Siliconix
27,105
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.37016
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
12900 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9220PBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Vishay Siliconix
626
现货
1 : ¥14.45000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.6A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
GAN140-650FBEZ
GAN190-650FBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
1,895
现货
1 : ¥34.15000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.98061
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
11.5A（Tc）
6V
190 毫欧 @ 3.9A，6V
2.5V @ 12.2mA
2.8 nC @ 6 V
+7V，-1.4V
96 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装，可润湿侧翼
DFN5060-5
8-PowerVDFN
200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO
RCJ451N20TL
200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO
Rohm Semiconductor
986
现货
1 : ¥30.46000
剪切带（CT）
1,000 : ¥16.02964
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
45A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 22.5A，10V
5V @ 1mA
80 nC @ 10 V
±30V
4200 pF @ 25 V
-
1.56W（Ta），211W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263S
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.93286
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
29A（Ta）
5V
6 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。