单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
-CoolMOS™ P7MDmesh™ IIOptiMOS™PolarP™PowerTrench®QFET®SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V150 V600 V800 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)310mA(Ta)400mA(Tc)2.5A(Tc)2.8A(Tc)4A(Tc)11A(Tc)16A(Tc)120A(Tc)-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 毫欧 @ 100A,10V128 毫欧 @ 2.8A,10V360 毫欧 @ 5.5A,10V720 毫欧 @ 500mA,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2 欧姆 @ 1.7A,10V4.5 欧姆 @ 1.25A,10V8.5 欧姆 @ 500mA,10V20 欧姆 @ 100mA,10V45 欧姆 @ 100mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA3.5V @ 275µA3.5V @ 80µA3.7V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 10 V7.2 nC @ 10 V10 nC @ 10 V19 nC @ 10 V30 nC @ 10 V92 nC @ 10 V206 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V115 pF @ 25 V156 pF @ 25 V195 pF @ 25 V330 pF @ 400 V395 pF @ 75 V485 pF @ 25 V790 pF @ 50 V5120 pF @ 25 V14800 pF @ 50 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)1.8W(Ta)2.1W(Tc)2.2W(Ta)3.3W(Tc)7W(Tc)70W(Tc)90W(Tc)300W(Tc)460W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
DPAKPG-SOT223PG-TO263-3SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-323TO-268AA
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-3TO-261-4,TO-261AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
STN1HNK60
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
STMicroelectronics
28,748
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.62177
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
400mA(Tc)
10V
8.5 欧姆 @ 500mA,10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
STMicroelectronics
7,148
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.88888
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 1.25A,10V
4.5V @ 50µA
19 nC @ 10 V
±30V
485 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
6,570
现货
1 : ¥23.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.54150
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
790 pF @ 50 V
-
90W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SC70, SOT−323, 419−04
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
47,225
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67384
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-223-4
FDT86244
MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
onsemi
9,120
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.86574
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.8A(Tc)
6V,10V
128 毫欧 @ 2.8A,10V
4V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
395 pF @ 75 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
PG-SOT223
IPN95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Infineon Technologies
23,531
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.33769
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
4A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.7A,10V
3.5V @ 80µA
10 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 400 V
-
7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
10,044
现货
1 : ¥36.04000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.94714
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
6V,10V
2.7 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 275µA
206 nC @ 10 V
±20V
14800 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
CPC3980ZTR
CPC3980ZTR
MOSFET N-CH 800V SOT223
Littelfuse Inc.
126
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.77252
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
-
0V
45 欧姆 @ 100mA,0V
-
-
±15V
115 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W(Ta)
-55°C ~ 125°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
onsemi
4,000
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.23660
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
200mA(Tc)
10V
20 欧姆 @ 100mA,10V
5V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±30V
195 pF @ 25 V
-
2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-3
TO-268
IXTT16P60P
MOSFET P-CH 600V 16A TO268
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥119.28000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16A(Tc)
10V
720 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±20V
5120 pF @ 25 V
-
460W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。