单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IVTrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA(Ta)260mA(Ta)320mA(Ta)600mA(Ta)1.2A(Ta)2.8A(Ta)3A(Ta)3.2A(Tc)45,6A(Ta),186A(Tc)100A(Ta),430A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.4 毫欧 @ 30A,10V1.5 毫欧 @ 20A,10V75 毫欧 @ 3.5A,4.5V90 毫欧 @ 3.6A,4.5V115 毫欧 @ 2.4A,4.5V250 毫欧 @ 1.8A,10V900 毫欧 @ 430mA,4.5V1.6 欧姆 @ 300mA,10V2.5 欧姆 @ 240mA,10V3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.25V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8 nC @ 4.5 V0.81 nC @ 5 V2.4 nC @ 10 V2.8 nC @ 10 V3.2 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V7.3 nC @ 4.5 V135 nC @ 10 V310 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V+12V,-8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
27 pF @ 25 V40 pF @ 25 V50 pF @ 10 V130 pF @ 10 V166 pF @ 40 V175 pF @ 16 V330 pF @ 10 V443 pF @ 16 V5900 pF @ 30 V12430 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
260mW(Ta),830mW(Tc)300mW(Ta)350mW(Ta)550mW(Ta)625mW(Ta)660mW(Ta)1.4W(Ta)2W(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)6.3W(Ta),104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-323
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
90,216
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32800
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,222
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37870
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
92,403
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49350
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.8A(Ta)
2.5V,4.5V
90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
187,313
现货
1,794,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48926
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN6A07FTA
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
5,562
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24601
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 1.8A,10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
166 pF @ 40 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
943,505
现货
645,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32203
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
600mA(Ta)
1.8V,4.5V
900 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2130L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
Diodes Incorporated
16,671
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.05763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3A(Ta)
2.5V,4.5V
75 毫欧 @ 3.5A,4.5V
1.25V @ 250µA
7.3 nC @ 4.5 V
±12V
443 pF @ 16 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SIR178DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Vishay Siliconix
1,155
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.14030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100A(Ta),430A(Tc)
2.5V,10V
0.4 毫欧 @ 30A,10V
1.5V @ 250µA
310 nC @ 10 V
+12V,-8V
12430 pF @ 10 V
-
6.3W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Vishay Siliconix
7,450
现货
1 : ¥14.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.39614
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45,6A(Ta),186A(Tc)
4.5V,10V
1.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 30 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
SQ2351ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
10,999
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.71075
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Tc)
2.5V,4.5V
115 毫欧 @ 2.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
330 pF @ 10 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。