单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）2A（Ta）3.6A（Ta）9.1A（Ta）10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 10A，10V11 毫欧 @ 9.8A，10V50 毫欧 @ 3.6A，10V92 毫欧 @ 2A，10V10 欧姆 @ 130mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.6 nC @ 4.5 V11.2 nC @ 10 V37 nC @ 10 V47.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V495 pF @ 15 V620 pF @ 10 V1950 pF @ 20 V4234 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
250mW（Tc）770mW（Ta）1.4W（Ta）1.45W（Ta）1.7W（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-SOICSOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
180,063
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41963
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 130mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
AO3423
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
86,217
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68275
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
2.5V，10V
92 毫欧 @ 2A，10V
1.4V @ 250µA
6.6 nC @ 4.5 V
±12V
620 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
SOT-23-3
DMG3406L-7
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Diodes Incorporated
103,996
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 3.6A，10V
2V @ 250µA
11.2 nC @ 10 V
±20V
495 pF @ 15 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
173,590
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68783
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMP4015SSSQ-13
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
Diodes Incorporated
25,642
现货
22,500
工厂
1 : ¥10.75000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.45881
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9.1A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.45W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。