单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
HEXFET®QFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）6.6A（Tc）9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
185 毫欧 @ 4.7A，10V480 毫欧 @ 3.9A，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 10 V350 pF @ 25 V550 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
265mW（Ta）2.5W（Ta），38W（Tc）40W（Tc）
供应商器件封装
TO-236ABTO-252AATO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR9120NTRPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Infineon Technologies
20,343
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.37518
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Tc）
10V
480 毫欧 @ 3.9A，10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
onsemi
4,417
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71471
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.4A（Tc）
10V
185 毫欧 @ 4.7A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-236AB
NX7002AKVL
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
24,852
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.16735
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。