单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-MDmesh™ M2SuperFET® II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
60 V600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Tc)42A(Tc)50A(Tc)52A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.2 毫欧 @ 25A,10V55 毫欧 @ 26A,10V70 毫欧 @ 21A,10V3.4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 35µA4V @ 250µA4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.5 nC @ 10 V9.6 nC @ 10 V70 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
400 pF @ 100 V880 pF @ 25 V3060 pF @ 100 V3750 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
32W(Tc)46W(Tc)300W(Tc)350W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)TO-247-3TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C673NLAFT1G
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
onsemi
3,210
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.14596
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
9.2 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 35µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
TO-252AA
FCD3400N80Z
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
onsemi
399
现货
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.50886
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2A(Tc)
10V
3.4 欧姆 @ 1A,10V
4.5V @ 200µA
9.6 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 100 V
-
32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-247-3 HiP
STW56N60M2
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
STMicroelectronics
594
现货
1 : ¥74.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
52A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 26A,10V
4V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3750 pF @ 100 V
-
350W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW48N60M2
MOSFET N-CH 600V 42A TO247
STMicroelectronics
118
现货
1 : ¥53.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
42A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 21A,10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
3060 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。