单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedMicro Commercial CoNexperia USA Inc.STMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-STripFET™ V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）130mA（Tj）1.3A（Ta）2.3A（Tj）3A（Ta）4.7A（Tc）5.5A（Tc）6A（Tj）20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 20A，10V28 毫欧 @ 5A，4.5V30 毫欧 @ 2A，4.5V32 毫欧 @ 4A，4.5V50 毫欧 @ 3A，4.5V72 毫欧 @ 3.5A，4.5V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V210 毫欧 @ 1A，4.5V7.5 欧姆 @ 50mA，5V8 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）800mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V7.3 nC @ 4.5 V8.9 nC @ 4.5 V9.6 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V22.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V50 pF @ 25 V144 pF @ 10 V367 pF @ 16 V443 pF @ 16 V476 pF @ 10 V515 pF @ 10 V792 pF @ 15 V850 pF @ 10 V951 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
225mW300mW（Ta），4.7W（Tc）350mW（Tc）370mW（Ta）1.25W1.4W（Ta）1.5W（Ta）1.56W（Tc）1.8W（Tc）3.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICDFN0603-3（SOT8013）SOT-23SOT-23-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）0201（0603 公制）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
377,565
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2123L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
Diodes Incorporated
345,667
现货
699,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75426
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
72 毫欧 @ 3.5A，4.5V
1.25V @ 250µA
7.3 nC @ 4.5 V
±12V
443 pF @ 16 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
107,527
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43742
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
24,958
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.58997
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
951 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT 23
BSS84-TP
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23
Micro Commercial Co
86,920
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Tj）
5V，10V
8 欧姆 @ 100mA，10V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 25 V
-
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
134,243
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88461
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.7A（Tc）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 3A，4.5V
800mV @ 250µA
9.6 nC @ 4.5 V
±10V
850 pF @ 10 V
-
1.56W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
SI3420A-TP
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Micro Commercial Co
20,826
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86945
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Tj）
2.5V，4.5V
28 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±10V
515 pF @ 10 V
-
1.25W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX100UNZ
PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
43,865
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
15,000 : ¥0.68090
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
1.8V，4.5V
210 毫欧 @ 1A，4.5V
900mV @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±12V
144 pF @ 10 V
-
300mW（Ta），4.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN0603-3（SOT8013）
0201（0603 公制）
82,611
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.5A（Tc）
2.5V，4.5V
32 毫欧 @ 4A，4.5V
900mV @ 250µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
792 pF @ 15 V
-
1.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TS432AILT
STR2N2VH5
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
STMicroelectronics
77,659
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.33318
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Tj）
2.5V，4.5V
30 毫欧 @ 2A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
4.6 nC @ 4.5 V
±8V
367 pF @ 16 V
-
350mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。