单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）9A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 8.5A，10V75 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.3 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
227 pF @ 15 V443 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）1.9W（Ta），12.5W（Tc）
供应商器件封装
DFN2020MD-6SOT-23-3
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP2130L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
Diodes Incorporated
16,671
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05767
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
75 毫欧 @ 3.5A，4.5V
1.25V @ 250µA
7.3 nC @ 4.5 V
±12V
443 pF @ 16 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB14R0EPX
MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6
Nexperia USA Inc.
12,858
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47010
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Ta）
-
16 毫欧 @ 8.5A，10V
2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
227 pF @ 15 V
-
1.9W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。