单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）500mA（Ta）600mA（Ta）630mA（Ta）700mA（Ta）750mA（Ta）1.3A（Ta）3A（Ta）3.2A（Ta）9.9A（Ta），21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.2V，5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 8.5A，10V38 毫欧 @ 3A，4.5V54 毫欧 @ 3.2A，4.5V175 毫欧 @ 300mA，4.5V400 毫欧 @ 600mA，4.5V550 毫欧 @ 600mA，4.5V900 毫欧 @ 430mA，4.5V970 毫欧 @ 100mA，5V1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 250µA1.4V @ 250µA2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.34 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.74 nC @ 4.5 V1.15 nC @ 5 V1.6 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V10.4 nC @ 10 V17.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V36 pF @ 10 V36 pF @ 16 V46.1 pF @ 10 V60.67 pF @ 16 V64.3 pF @ 25 V175 pF @ 16 V551 pF @ 10 V653 pF @ 10 V1651 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）400mW（Ta），8.33W（Tc）460mW（Ta）470mW（Ta）480mW（Ta）500mW（Ta）550mW（Ta）690mW（Ta）2.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）CST3CDFN1010D-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-523X1-DFN1006-3X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN3-XDFN 裸露焊盘3-XFDFN6-PowerVDFNSC-101，SOT-883SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
327,233
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
X2-DFN1006-3
DMN2400UFB-7
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Diodes Incorporated
639,904
现货
486,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51311
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
750mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 600mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±12V
36 pF @ 16 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
SOT 23-3
NTR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
238,870
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.42056
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB43UNEZ
MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
47,528
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.81382
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
1.5V，4.5V
54 毫欧 @ 3.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
551 pF @ 10 V
-
400mW（Ta），8.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
239,840
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.34118
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
250mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
CST3C
SC-101，SOT-883
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
943,815
现货
645,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32204
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Diodes Incorporated
389,674
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40433
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
1.5V，4.5V
175 毫欧 @ 300mA，4.5V
950mV @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
64.3 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMP21D5UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Diodes Incorporated
158,508
现货
740,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.45699
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
700mA（Ta）
1.2V，5V
970 毫欧 @ 100mA，5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±8V
46.1 pF @ 10 V
-
460mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
6-PowerVDFN
IRFHS8242TRPBF
MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Infineon Technologies
4,341
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.50437
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
9.9A（Ta），21A（Tc）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 8.5A，10V
2.35V @ 25µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
653 pF @ 10 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
SOT 23-3
NTR3A30PZT1G
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
onsemi
3,175
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.14459
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
1.8V，4.5V
38 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 250µA
17.6 nC @ 4.5 V
±8V
1651 pF @ 15 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。