单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Nexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
62 毫欧 @ 1.5A，2.5V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68 nC @ 4.5 V13 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±5V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 15 V752 pF @ 4 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）600mW（Ta）
供应商器件封装
4-AlphaDFN（0.97x0.97）SOT-323
封装/外壳
4-SMD，无引线SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
635,860
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33879
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
4-AlphaDFN
AOC2421
MOSFET P-CH 8V 2.5A 4ALPHADFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
5,000 : ¥1.60200
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
2.5A（Ta）
1.2V，2.5V
62 毫欧 @ 1.5A，2.5V
700mV @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±5V
752 pF @ 4 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
4-AlphaDFN（0.97x0.97）
4-SMD，无引线
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。