单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™G2R™SIPMOS®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
40 V60 V100 V190 V200 V240 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35mA(Ta)60mA(Ta)200mA(Ta)230mA(Ta)480mA(Ta)700mA(Ta)1.25A(Ta)1.4A(Ta)1.6A(Ta)2A(Ta)3A(Tc)18A(Tj)27.9A(Ta),96A(Tc)63A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V2.5V,10V3.3V,10V4.5V,10V6V,10V10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 毫欧 @ 30A,10V3.42 毫欧 @ 10A,10V50 毫欧 @ 40A,20V71 毫欧 @ 5A,10V140 毫欧 @ 1.8A,10V140 毫欧 @ 2A,10V170 毫欧 @ 1.25A,10V220 毫欧 @ 1.6A,10V540 毫欧 @ 2A,10V700 毫欧 @ 1.5A,10V3.5 欧姆 @ 160mA,10V3.5 欧姆 @ 300mA,10V4 欧姆 @ 300mA,10V25 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.4V @ 26µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 10mA(典型值)3.5V @ 1mA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.4 nC @ 5 V3.8 nC @ 10 V4.6 nC @ 10 V6.6 nC @ 10 V7 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V8.6 nC @ 10 V12 nC @ 10 V16.4 nC @ 10 V50 nC @ 10 V147 nC @ 10 V340 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
±16V+20V,-16V±20V+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
39 pF @ 25 V45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V188 pF @ 25 V235 pF @ 50 V250 pF @ 50 V315 pF @ 40 V361 pF @ 30 V401 pF @ 25 V580 pF @ 25 V773 pF @ 50 V2530 pF @ 20 V7301 pF @ 1000 V9871 pF @ 50 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
330mW(Ta)350mW(Ta)360mW(Ta)400mW(Ta)500mW(Ta)700mW(Ta)760mW(Ta)1.3W(Ta)1.4W(Ta)1.8W(Tc)4.8W(Ta),56.8W(Tc)6W(Ta),250W(Tc)65W(Tc)536W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
LFPAK33PG-SOT23POWERDI1012-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-247-4
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式8-PowerSFNPowerPAK® SO-8SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果

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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6140L-13
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Diodes Incorporated
194,751
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.46856
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.6A(Ta)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 1.8A,10V
3V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
105,539
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.12971
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
220 毫欧 @ 1.6A,10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
401 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
433,542
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75938
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2A(Ta)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 2A,10V
2.7V @ 250µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 50 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
ZVN3320FTA
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
Diodes Incorporated
40,878
现货
7,191,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18430
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
60mA(Ta)
10V
25 欧姆 @ 100mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZVP1320FTA
MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Diodes Incorporated
40,881
现货
735,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.50472
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35mA(Ta)
10V
80 欧姆 @ 50mA,10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
LFPAK33
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
39,978
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.64954
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
18A(Tj)
10V
71 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
16.4 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 50 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
G2R50MT33K
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
272
现货
1 : ¥2,427.31000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
3300 V
63A(Tc)
20V
50 毫欧 @ 40A,20V
3.5V @ 10mA(典型值)
340 nC @ 20 V
+25V,-10V
7301 pF @ 1000 V
-
536W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
SOT-23-3
DMN10H700S-7
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Diodes Incorporated
14,695
现货
345,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61180
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
700mA(Ta)
6V,10V
700 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 50 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS159NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
33,382
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.23646
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
0V,10V
3.5 欧姆 @ 160mA,10V
2.4V @ 26µA
1.4 nC @ 5 V
±20V
39 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN24H3D5L-7
MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Diodes Incorporated
5,887
现货
414,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.49523
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
480mA(Ta)
3.3V,10V
3.5 欧姆 @ 300mA,10V
2.5V @ 250µA
6.6 nC @ 10 V
±20V
188 pF @ 25 V
-
760mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
TN2404K-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Vishay Siliconix
6,717
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71757
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
200mA(Ta)
2.5V,10V
4 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-PowerSFN
DMTH10H1M7STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Diodes Incorporated
1,463
现货
33,000
工厂
1 : ¥30.62000
剪切带(CT)
1,500 : ¥20.36473
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
250A(Tc)
10V
2 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
147 nC @ 10 V
±20V
9871 pF @ 50 V
-
6W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI1012-8
8-PowerSFN
BAS20-AQ
MMFTP5618
MOSFET, SOT-23, -60V, -1.25A, 0,
Diotec Semiconductor
2,429
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84736
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.25A(Ta)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±20V
361 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SIJA72ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK
Vishay Siliconix
5,660
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.20300
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
27.9A(Ta),96A(Tc)
4.5V,10V
3.42 毫欧 @ 10A,10V
2.4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
+20V,-16V
2530 pF @ 20 V
-
4.8W(Ta),56.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
G6N02L
G2003A
N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Goford Semiconductor
850
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81750
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
190 V
3A(Tc)
4.5V,10V
540 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
580 pF @ 25 V
-
1.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 15

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。