单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）2.3A（Ta）20A（Tc）22A（Tc）100A（Ta）100A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V4.5V，10V5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 50A，10V6.4 毫欧 @ 16A，10V6.7 毫欧 @ 30A，10V41 毫欧 @ 5A，10V42 毫欧 @ 5A，10V57 毫欧 @ 2.3A，2.5V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 11µA1.5V @ 1mA2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.7 nC @ 2.5 V8.2 nC @ 5 V9 nC @ 10 V48 nC @ 10 V130.8 nC @ 10 V270 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V508 pF @ 25 V529 pF @ 10 V880 pF @ 25 V3870 pF @ 50 V6555 pF @ 30 V14280 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）500mW（Ta）3.3W（Ta），125W（Tc）36W（Tc）45W（Tc）167W375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）LFPAK33LFPAK56，Power-SO8PG-SOT23PowerDI5060-8（K 类）SOT-23-3（TO-236）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-100，SOT-669SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI5060-8
DMTH6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
5,788
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.06301
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 50A，10V
3V @ 250µA
130.8 nC @ 10 V
±20V
6555 pF @ 30 V
-
167W
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8（K 类）
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Vishay Siliconix
4,796
现货
1 : ¥28.73000
剪切带（CT）
800 : ¥17.33736
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
120A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
14280 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
414,717
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54182
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.8V，2.5V
57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BVSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
59,060
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53911
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
BUK7M42-60EX
MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
13,565
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.22431
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
10V
42 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 1mA
9 nC @ 10 V
±20V
508 pF @ 25 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y43-60E,115
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
42,184
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.41729
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
22A（Tc）
5V
41 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 1mA
8.2 nC @ 5 V
±10V
880 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
8-Power TDFN
CSD19531Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
5,892
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
250 : ¥7.57536
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
6.4 毫欧 @ 16A，10V
3.3V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
3870 pF @ 50 V
-
3.3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。