单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
SIPMOS®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Tc)25A(Tc)54A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11 毫欧 @ 15A,10V43 毫欧 @ 5A,10V200 毫欧 @ 11.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1.54mA2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20.2 nC @ 5 V62 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1490 pF @ 25 V2309 pF @ 25 V2769 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
79W(Tc)80W(Tc)128W(Tc)
供应商器件封装
LFPAK33PG-TO252-3
封装/外壳
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK33
BUK9M12-60EX
MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
4,070
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.10763
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
54A(Tc)
5V
11 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
-
±10V
2769 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
TO252-3
SPD15P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Infineon Technologies
4,344
现货
1 : ¥11.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.97012
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
15A(Tc)
4.5V,10V
200 毫欧 @ 11.3A,10V
2V @ 1.54mA
62 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 25 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK33
BUK9M43-100EX
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
4,425
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.93801
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Tc)
5V
43 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
20.2 nC @ 5 V
±10V
2309 pF @ 25 V
-
80W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。