单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1A（Ta）1.5A（Ta）2.3A（Ta）2.8A（Ta）3.1A（Tc）3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.8V，10V1.8V，2.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
42 毫欧 @ 3A，10V57 毫欧 @ 2.3A，2.5V74 毫欧 @ 2.8A，4.5V112 毫欧 @ 2.8A，4.5V140 毫欧 @ 1.5A，4.5V450 毫欧 @ 600mA，4.5V1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 11µA900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 5 V1.7 nC @ 2.5 V7.7 nC @ 4.5 V7.7 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V60.67 pF @ 16 V143 pF @ 10 V281 pF @ 10 V405 pF @ 10 V529 pF @ 10 V744 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）290mW（Ta）480mW（Ta）500mW（Ta）860mW（Ta），1.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23PG-SOT323SOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-236ABVMT3
封装/外壳
SC-70，SOT-323SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
523,906
现货
8,847,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
608,212
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.50622
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
154,214
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82533
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN2058UW-7
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Diodes Incorporated
65,823
现货
717,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54644
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 3A，10V
1.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±12V
281 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-236AB
PMV65XP,215
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
254,276
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75319
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
1.8V，4.5V
74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
7.7 nC @ 4.5 V
±12V
744 pF @ 20 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
185,796
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64340
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.5A（Ta）
2.5V，4.5V
140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
405,747
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.8V，2.5V
57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。