单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-ThunderFET®TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）8.1A（Ta），21A（Tc）23A（Tc）29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
27.5 毫欧 @ 7.5A，10V34.5 毫欧 @ 10A，10V38 毫欧 @ 10A，10V103 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.2V @ 13µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6 nC @ 4.5 V5.8 nC @ 10 V17 nC @ 7.5 V20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 10 V330 pF @ 25 V700 pF @ 25 V740 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3.4W（Ta），24W（Tc）45W（Tc）69.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PowerPAK® SO-8UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ476EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,470
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.83110
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
4.5V，10V
38 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR632DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
563
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.53871
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
29A（Tc）
7.5V，10V
34.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 7.5 V
±20V
740 pF @ 75 V
-
69.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
9,971
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89044
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
1.5V，4.5V
103 毫欧 @ 1A，4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
270 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C680NLT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
onsemi
1,041
现货
1 : ¥8.46000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.71280
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.1A（Ta），21A（Tc）
4.5V，10V
27.5 毫欧 @ 7.5A，10V
2.2V @ 13µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
3.4W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。