单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
196mA（Ta）360mA（Ta）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 30A，10V1.6 欧姆 @ 350mA，10V5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V1 nC @ 5 V240 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30.3 pF @ 25 V56 pF @ 10 V9200 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
347mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）3.75W（Ta），272W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TO-236ABTO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
458,633
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47812
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 350mA，10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
2,976
现货
1 : ¥35.14000
剪切带（CT）
800 : ¥21.22651
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），272W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT 23-3
NTR5105PT1G
MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
onsemi
350,060
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52306
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
196mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 100mA，10V
3V @ 250µA
1 nC @ 5 V
±20V
30.3 pF @ 25 V
-
347mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。