单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
CoolMOS™ CFD7AOptiMOS™OptiMOS™-5STripFET™ F7TrenchMOS™Ultra X4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
100 V200 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A（Ta）45A（Tc）90A（Tc）94A（Tc）180A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V2.5 毫欧 @ 60A，10V3.3 毫欧 @ 100A，10V6.2毫欧 @ 45A，10V10.6 毫欧 @ 47A，10V50 毫欧 @ 24.8A，10V385 毫欧 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA3.5V @ 180µA3.8V @ 275µA3.8V @ 59µA4.5V @ 1.24mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8 nC @ 10 V36 nC @ 10 V77 nC @ 10 V102 nC @ 10 V140 nC @ 10 V160 nC @ 10 V216 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190 pF @ 50 V3275 pF @ 50 V4975 pF @ 400 V5050 pF @ 25 V10120 pF @ 25 V11550 pF @ 25 V16011 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
580mW（Ta）115W（Tc）227W（Tc）250W（Tc）300W（Tc）360W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
H2PAK-6ISO TO-247-3PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8-34PG-TO247-3-41PG-TO263-7-3TO-236AB
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,140
现货
1 : ¥45.56000
剪切带（CT）
2,000 : ¥22.18573
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-236AB
PMV280ENEAR
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
15,482
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81802
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.1A（Ta）
4.5V，10V
385 毫欧 @ 1.1A，10V
2.7V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 50 V
-
580mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TDSON-8-34
IAUC90N10S5N062ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Infineon Technologies
7,042
现货
1 : ¥17.57000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.62251
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
6.2毫欧 @ 45A，10V
3.8V @ 59µA
36 nC @ 10 V
±20V
3275 pF @ 50 V
-
115W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
Littelfuse_power_Semi_TO-247-3L
IXTH94N20X4
MOSFET N-CH 200V 94A X4 TO-247
Littelfuse Inc.
281
现货
1 : ¥96.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
94A（Tc）
10V
10.6 毫欧 @ 47A，10V
4.5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
5050 pF @ 25 V
-
360W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
ISO TO-247-3
TO-247-3
H2PAK-2
STH240N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
STMicroelectronics
1,861
现货
1 : ¥31.94000
剪切带（CT）
1,000 : ¥16.49120
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
2.5 毫欧 @ 60A，10V
4.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
11550 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
H2PAK-6
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-247-3 AC EP
IPW65R050CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Infineon Technologies
224
现货
1 : ¥55.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
45A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 24.8A，10V
4.5V @ 1.24mA
102 nC @ 10 V
±20V
4975 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-263-7, D2Pak
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
1,155
现货
1 : ¥43.51000
剪切带（CT）
1,000 : ¥22.50283
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
3.3 毫欧 @ 100A，10V
3.5V @ 180µA
140 nC @ 10 V
±20V
10120 pF @ 25 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。