单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V12 V20 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Tc）2.1A（Ta）4.7A（Ta）5.4A（Tj）12A（Tc）30A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 毫欧 @ 50A，10V9.4 毫欧 @ 15.7A，4.5V42 毫欧 @ 3A，4.5V76 毫欧 @ 1A，4.5V340 毫欧 @ 500mA，4.5V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA2V @ 85µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.71 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 4.5 V9 nC @ 4.5 V19 nC @ 8 V25.2 nC @ 5 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±5V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 6 V335 pF @ 6 V615 pF @ 10 V1508 pF @ 4 V12000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
400mW400mW（Ta），12.5W（Tc）500mW（Ta）1.25W（Ta）2.5W（Ta），125W（Tc）3.5W（Ta），19W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
4-Microfoot4-WLCSP（0.78x0.78）PG-TDSON-8-1PowerPAK® 0806PowerPAK® SC-70-6
封装/外壳
4-XFBGA4-XFBGA，WLCSP8-PowerTDFNPowerPAK® 0806PowerPAK® SC-70-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SIA436DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
11,002
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.89055
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
12A（Tc）
1.2V，4.5V
9.4 毫欧 @ 15.7A，4.5V
800mV @ 250µA
25.2 nC @ 5 V
±5V
1508 pF @ 4 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK-0806
SIUD412ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Vishay Siliconix
97,906
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.72041
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
500mA（Tc）
1.2V，4.5V
340 毫欧 @ 500mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.71 nC @ 4.5 V
±5V
21 pF @ 6 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 0806
PowerPAK® 0806
PG-TDSON-8-1
BSC018N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
33,041
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.63033
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
30A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.8 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 85µA
150 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
4-XFBGA
SI8817DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
14,768
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25487
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.1A（Ta）
1.5V，4.5V
76 毫欧 @ 1A，4.5V
1V @ 250µA
19 nC @ 8 V
±8V
615 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA
WLCSP4
PMCM4401UNEZ
MOSFET N-CH 20V 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
46,119
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
9,000 : ¥0.83798
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.4A（Tj）
2.5V，4.5V
-
-
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
400mW
150°C（TJ）
表面贴装型
4-WLCSP（0.78x0.78）
4-XFBGA，WLCSP
WLCSP4
PMCM4401VNEAZ
MOSFET N-CH 12V 4.7A 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
118,045
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
9,000 : ¥0.80637
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.7A（Ta）
1.5V，4.5V
42 毫欧 @ 3A，4.5V
900mV @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
335 pF @ 6 V
-
400mW（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-WLCSP（0.78x0.78）
4-XFBGA，WLCSP
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。