单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-CoolSiC™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A（Tc）26A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 25A，10V40 毫欧 @ 20A，10V455 毫欧 @ 2A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA2.4V @ 250µA5.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.3 nC @ 18 V54 nC @ 10 V66.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
182 pF @ 800 V3600 pF @ 30 V5026 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），60W（Tc）60W（Tc）167W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PG-TO247-3-41TO-252（DPAK）
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
26,232
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.99940
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
26A（Tc）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN5R6-60YLX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10,548
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.75998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
5V，10V
5.6 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
66.8 nC @ 10 V
±20V
5026 pF @ 25 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
TO-247-3 AC EP
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Infineon Technologies
1,239
现货
1 : ¥44.09000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
4.7A（Tc）
15V，18V
455 毫欧 @ 2A，18V
5.7V @ 1mA
5.3 nC @ 18 V
+23V，-7V
182 pF @ 800 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。