单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-HEXFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA1.7A（Ta）1.9A（Tc）2.5A（Ta）5A（Ta）5.6A（Ta）8.1A（Ta）10A（Ta）84A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 15A，10V12 毫欧 @ 50A，10V18毫欧 @ 8，1A，4，5V29 毫欧 @ 3.2A，10V50 毫欧 @ 6A，4.5V60 毫欧 @ 5A，10V180 毫欧 @ 930mA，4.5V250 毫欧 @ 500mA，10V300 毫欧 @ 2.5A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）900mV @ 250µA1V @ 250µA2V @ 250µA2.15V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V3.4 nC @ 4.5 V5.9 nC @ 5 V7 nC @ 10 V11.3 nC @ 10 V15 nC @ 10 V20 nC @ 4.5 V28 nC @ 4.5 V41.5 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 25 V50 pF @ 25 V160 pF @ 15 V235 pF @ 15 V330 pF @ 20 V498 pF @ 15 V601 pF @ 30 V1200 pF @ 16 V1625 pF @ 20 V2400 pF @ 12 V3210 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）280mW（Tj）350mW（Ta）625mW（Ta）1.8W（Ta）3W（Ta）3，8W（Ta），12，5W（Tc）8.3W（Ta）103W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKDFN2020MD-6SOT-223-3SOT-223-4SOT-223（TO-261）SOT-23-3TO-220ABTO-236AB
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
21,748
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
260,355
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33850
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.9A（Tc）
10V
250 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±30V
330 pF @ 20 V
-
280mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
80,001
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXM61N02FTA
MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
32,429
现货
1,668,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05767
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.7A（Ta）
2.7V，4.5V
180 毫欧 @ 930mA，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
3.4 nC @ 4.5 V
±12V
160 pF @ 15 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
DMN3032LE-13
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Diodes Incorporated
138,399
现货
1,020,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.55819
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.6A（Ta）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 3.2A，10V
2V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±20V
498 pF @ 15 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
NDT2955
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
onsemi
2,017
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.06661
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
300 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
601 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
FDT457N
MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
onsemi
9,214
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.25065
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
5.9 nC @ 5 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223 (TO-261)
NTF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
onsemi
30,874
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.55341
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
2.5V，4.5V
50 毫欧 @ 6A，4.5V
1V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±8V
1200 pF @ 16 V
-
8.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
6-DFN2020MD_View 2
PMPB14XNX
MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
17,343
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14639
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.1A（Ta）
1.5V，4.5V
18毫欧 @ 8，1A，4，5V
900mV @ 250µA
28 nC @ 4.5 V
±8V
1625 pF @ 20 V
-
3，8W（Ta），12，5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1010ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Infineon Technologies
2,694
现货
1 : ¥13.38000
剪切带（CT）
800 : ¥7.47288
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
84A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3210 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220AB
PSMN4R3-30PL,127
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Nexperia USA Inc.
4,601
现货
1 : ¥14.45000
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 15A，10V
2.15V @ 1mA
41.5 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 12 V
-
103W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。